Numer produktu producenta:
NSVMUN5312DW1T3G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NSVMUN5312DW1T3G-DG
Opis:
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Magazyn:
12858607
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NSVMUN5312DW1T3G Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
22kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
22kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
250mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88/SC70-6/SOT-363
Podstawowy numer produktu
NSVMUN5312
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NSVMUN5312DW1T3GTR
NSVMUN5312DW1T3G-DG
488-NSVMUN5312DW1T3GDKR
488-NSVMUN5312DW1T3GCT
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NSBA114YDXV6T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC143TDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
SMUN5115DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
