Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
DR Konga
Argentyna
Turcja
Rumunia
Litwa
Norwegia
Austria
Angola
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Białoruś
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Czarnogóra
Rosyjski
Belgia
Szwecja
Serbia
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Mołdawia
Niemcy
Holandia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
Francja
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Portugalia
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Hiszpania
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
NSVDTA114EET1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NSVDTA114EET1G-DG
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Magazyn:
15000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12844230
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NSVDTA114EET1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
10 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
10 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Moc - Max
200 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-75, SOT-416
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-75, SOT-416
Podstawowy numer produktu
NSVDTA114
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
NSVDTA114EET1G
Karta danych HTML
NSVDTA114EET1G-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NSVDTA114EET1GDKR
488-NSVDTA114EET1GCT
NSVDTA114EET1G-DG
ONSONSNSVDTA114EET1G
2156-NSVDTA114EET1G-OS
488-NSVDTA114EET1GTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DRA9114T0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSMINI3
MMUN2240LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
DRA3124E0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSSMINI3
MUN5140T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3