Numer produktu producenta:
NSBC115EPDXV6T1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NSBC115EPDXV6T1G-DG
Opis:
SS SOT563 RSTR XSTR TR
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
Magazyn:
12843253
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NSBC115EPDXV6T1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
100kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
100kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
357mW
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-563
Podstawowy numer produktu
NSBC115
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMA561060R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SMINI5
DMA261010R
TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5
NSBC144EDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
