Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
NSBC114TF3T5G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NSBC114TF3T5G-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 254 mW Surface Mount SOT-1123
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12860468
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NSBC114TF3T5G Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Last Time Buy
Typ tranzystora
NPN - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
10 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Moc - Max
254 mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-1123
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-1123
Podstawowy numer produktu
NSBC114
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
NSBC114TF3T5G
Karta danych HTML
NSBC114TF3T5G-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-NSBC114TF3T5G-OS
2832-NSBC114TF3T5G-488
2832-NSBC114TF3T5GTR
ONSONSNSBC114TF3T5G
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DTC014TMT2L
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1448
NUMER CZĘŚCI
DTC014TMT2L-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
UNR52AFG0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
UNR911LJ0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSMINI3
UNR921AJ0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
UNR212X00L
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A MINI3