Numer produktu producenta:
NSBA144WDXV6T1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NSBA144WDXV6T1G-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Magazyn:
12842489
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NSBA144WDXV6T1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
47kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
22kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
500mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-563
Podstawowy numer produktu
NSBA144
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RN2909FE(TE85L,F)
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4000
NUMER CZĘŚCI
RN2909FE(TE85L,F)-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.04
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NUS2401SNT1G
TRANS PREBIAS 2NPN 1PNP 50V SC74
SMUN5311DW1T2G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
DMG964060R
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6