Numer produktu producenta:
NDD04N50Z-1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NDD04N50Z-1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole IPAK
Magazyn:
12844955
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NDD04N50Z-1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
308 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
61W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
IPAK
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
NDD04
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NDD04N50Z-1GOS
2156-NDD04N50Z-1G-ON
NDD04N50Z-1G-DG
ONSONSNDD04N50Z-1G
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STD4N52K3
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STD4N52K3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.50
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
