Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
MUN5116DW1T1
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
MUN5116DW1T1-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12855614
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MUN5116DW1T1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
250mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88/SC70-6/SOT-363
Podstawowy numer produktu
MUN51
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSMUN5116DW1T1
2156-MUN5116DW1T1-ONTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PUMB3,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2030
NUMER CZĘŚCI
PUMB3,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
UMB3NFHATN
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2549
NUMER CZĘŚCI
UMB3NFHATN-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.04
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
DDA143TU-7-F
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7904
NUMER CZĘŚCI
DDA143TU-7-F-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Direct
NUMER CZĘŚCI
MUN5116DW1T1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3755
NUMER CZĘŚCI
MUN5116DW1T1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Direct
NUMER CZĘŚCI
EMB3T2R
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
14561
NUMER CZĘŚCI
EMB3T2R-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NSBA115TDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
NSBC123EPDXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSVMUN5334DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
NSBC143ZDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563