MUN5113DW1T1
Numer produktu producenta:

MUN5113DW1T1

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

MUN5113DW1T1-DG

Opis:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Magazyn:

7788 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12936241
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

MUN5113DW1T1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
onsemi
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
47kOhm
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhm
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
187mW
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88/SC70-6/SOT-363

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
ONSONSMUN5113DW1T1
2156-MUN5113DW1T1
Pakiet Standard
7,788

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
renesas-electronics-america

HD1A3M(0)-T1-AZ

TRANSISTOR NPN SC62-3

nxp-semiconductors

PUMH13/ZL115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PUMB2/L135

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PUMH2/HE115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR