MUN5112DW1T1G
Numer produktu producenta:

MUN5112DW1T1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

MUN5112DW1T1G-DG

Opis:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Magazyn:

5576 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12853498
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

MUN5112DW1T1G Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
22kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
22kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
250mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-88/SC70-6/SOT-363
Podstawowy numer produktu
MUN5112

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-MUN5112DW1T1G-OS
ONSONSMUN5112DW1T1G
488-MUN5112DW1T1GDKR
MUN5112DW1T1G-DG
488-MUN5112DW1T1GTR
488-MUN5112DW1T1GCT
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

MUN5211DW1T1G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

onsemi

MUN5111DW1T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

onsemi

MUN5237DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

onsemi

MUN5211DW1T1

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363