MJD117-1G
Numer produktu producenta:

MJD117-1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

MJD117-1G-DG

Opis:

TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK

Magazyn:

12854426
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

MJD117-1G Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
PNP - Darlington
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
2 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
100 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
20µA
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Moc - Max
1.75 W
Częstotliwość - Przejście
25MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Podstawowy numer produktu
MJD117

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-MJD117-1G-OS
ONSONSMJD117-1G
MJD117-1G-DG
MJD117-1GOS
Pakiet Standard
75

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
MJD117T4G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2150
NUMER CZĘŚCI
MJD117T4G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.25
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

MMBTA64LT1G

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3

onsemi

KSC1623OMTF

TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3

onsemi

MPSW45AG

TRANS NPN DARL 50V 1A TO92

onsemi

KSC839YBU

TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3