Numer produktu producenta:
MJD112G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
MJD112G-DG
Opis:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Magazyn:
409 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12851187
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
BX4h
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MJD112G Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN - Darlington
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
2 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
100 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
20µA
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Moc - Max
1.75 W
Częstotliwość - Przejście
25MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Podstawowy numer produktu
MJD112
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-MJD112G-OS
MJD112G-DG
ONSONSMJD112G
MJD112GOS
2832-MJD112G
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
KSA1010YTU
TRANS PNP 100V 7A TO220-3
BD681S
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3
MMBT3906
BJT SOT23 40V PNP 0.25W 150C
