Numer produktu producenta:
MGSF2N02ELT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
MGSF2N02ELT1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Magazyn:
38920 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12846081
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MGSF2N02ELT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.5 nC @ 4 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
150 pF @ 5 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
MGSF2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
MGSF2N02ELT1GOS-DG
2156-MGSF2N02ELT1G-OS
ONSONSMGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1GOSDKR
MGSF2N02ELT1GOSCT
MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOSTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AOTF4N60
MOSFET N-CH 600V 4A TO220-3F
AOD472
MOSFET N-CH 25V 55A TO252
FDC5661N-F085
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6