Numer produktu producenta:
IRF630B_FP001
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
IRF630B_FP001-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
12837430
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF630B_FP001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IRF63
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF630
PRODUCENT
Harris Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
11535
NUMER CZĘŚCI
IRF630-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.80
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IRF630NPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
8085
NUMER CZĘŚCI
IRF630NPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.39
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IRF630PBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5461
NUMER CZĘŚCI
IRF630PBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.51
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQB10N50CFTM-WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
FDMS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FDMS9409-F085
MOSFET N-CH 40V 65A POWER56
