Numer produktu producenta:
FQPF9N25CYDTU
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQPF9N25CYDTU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Magazyn:
12849184
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQPF9N25CYDTU Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
710 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Podstawowy numer produktu
FQPF9
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2832-FQPF9N25CYDTU-488
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AON7408L
MOSFET N-CH 30V 7.5A/20A 8DFN
CPH6347-TL-H
MOSFET P-CH 20V 6A 6CPH
AOT266L
MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO220
