Numer produktu producenta:
FQP7N65C
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQP7N65C-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
12837553
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQP7N65C Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FQP7
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STP9NK65Z
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STP9NK65Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.54
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP5N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
33
NUMER CZĘŚCI
STP5N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.53
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP5N80K5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
717
NUMER CZĘŚCI
STP5N80K5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.67
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQB46N15TM_AM002
MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
FDWS9408-F085
MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
FQA22P10
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
