FQP6N25
Numer produktu producenta:

FQP6N25

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FQP6N25-DG

Opis:

MOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 5.5A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3

Magazyn:

12851317
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FQP6N25 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
300 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FQP6

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FDD6676AS

MOSFET N-CH 30V 90A TO252

onsemi

FDME430NT

MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6

onsemi

FQNL1N50BTA

MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3

onsemi

HUF75639S3

MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK