Numer produktu producenta:
FQP4N20L
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQP4N20L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
12846837
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
GTnN
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQP4N20L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
310 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FQP4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSFQP4N20L
2156-FQP4N20L-OS
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTGS3441T1G
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
FQD12N20LTM-F085P
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
FQU3N60TU
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
