FQP1P50
Numer produktu producenta:

FQP1P50

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FQP1P50-DG

Opis:

MOSFET P-CH 500V 1.5A TO220-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3

Magazyn:

12838557
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FQP1P50 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FQP1

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FQPF3N50C

MOSFET N-CH 500V 3A TO220F

onsemi

FQA24N50F_F109

MOSFET N-CH 500V 24A TO3P

onsemi

FDMS8880

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

onsemi

FQP32N20C_F080

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3