Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FQP13N10L
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQP13N10L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12838735
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
K
g
p
A
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQP13N10L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
520 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FQP13
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FQP13N10L
Karta danych HTML
FQP13N10L-DG
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PSMN009-100P,127
PRODUCENT
NXP Semiconductors
ILOŚĆ DOSTĘPNA
291
NUMER CZĘŚCI
PSMN009-100P,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.44
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PSMN027-100PS,127
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
21891
NUMER CZĘŚCI
PSMN027-100PS,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.67
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PSMN015-100P,127
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7793
NUMER CZĘŚCI
PSMN015-100P,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.06
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PSMN7R0-100PS,127
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4441
NUMER CZĘŚCI
PSMN7R0-100PS,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.38
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PSMN013-100PS,127
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3262
NUMER CZĘŚCI
PSMN013-100PS,127-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.99
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQPF3N80
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
HUF75329P3
MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
FQB13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB