Numer produktu producenta:
FQNL2N50BTA
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQNL2N50BTA-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
Magazyn:
12847857
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQNL2N50BTA Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
350mA (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 175mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
230 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Podstawowy numer produktu
FQNL2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FAIFSCFQNL2N50BTA
2156-FQNL2N50BTA-OS
FQNL2N50BTATB
FQNL2N50BTACT
FQNL2N50BTA-DG
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STQ1NC45R-AP
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STQ1NC45R-AP-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.19
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTB13N10T4G
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
FDMS7660AS
MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
FDMS003N08C
MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56
