Numer produktu producenta:
FQI13N50CTU
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQI13N50CTU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Magazyn:
12849505
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQI13N50CTU Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
195W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262 (I2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
FQI13N50
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFSL11N50APBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IRFSL11N50APBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.49
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AOB2606L
MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
AOT2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO220
FQP47P06_NW82049
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
