Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FQD13N06LTM
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQD13N06LTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
1546 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12848095
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQD13N06LTM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FQD13N06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FQD13N06LTM Datasheet
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FQD13N06LTMCT
FQD13N06LTMTR
FQD13N06LTMDKR
ONSFSCFQD13N06LTM
FQD13N06LTM-DG
2156-FQD13N06LTM-OS
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
ZXMN7A11KTC
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
8389
NUMER CZĘŚCI
ZXMN7A11KTC-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.28
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IRFR020TRPBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4530
NUMER CZĘŚCI
IRFR020TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.64
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AOT22N50L
MOSFET N-CH 500V 22A TO220
FDB8441-F085
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
AOD8N25
MOSFET N CH 250V 8A TO252
FCH099N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3