Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FQD10N20LTM
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQD10N20LTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount DPAK
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12847334
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQD10N20LTM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
830 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FQD10N20
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FQD10N20LTM
Karta danych HTML
FQD10N20LTM-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FQD10N20LTMTR
FQD10N20LTMDKR
FQD10N20LTM-DG
FQD10N20LTMCT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FQD12N20LTM
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4955
NUMER CZĘŚCI
FQD12N20LTM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.27
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STD5N20LT4
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
20061
NUMER CZĘŚCI
STD5N20LT4-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.37
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQPF9N25C
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
AOT66616L
MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220
FQU20N06LTU
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
FDP5N50NZ
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3