FQB6N70TM
Numer produktu producenta:

FQB6N70TM

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FQB6N70TM-DG

Opis:

MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Magazyn:

12837592
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FQB6N70TM Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
FQB6

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
800

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
STB5N80K5
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
205
NUMER CZĘŚCI
STB5N80K5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.77
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FQP3N60C

MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3

onsemi

HUFA75429D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

FDP2670

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

onsemi

FQP70N08

MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3