Numer produktu producenta:
FQB5N90TM
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQB5N90TM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 5.4A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12847267
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQB5N90TM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1550 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
FQB5N90
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FQB5N90TMTR
2832-FQB5N90TM
2156-FQB5N90TM-OS
FQB5N90TM-DG
ONSONSFQB5N90TM
FQB5N90TMDKR
FQB5N90TMCT
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFA6N120P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3725
NUMER CZĘŚCI
IXFA6N120P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
5.46
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQP50N06L
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
FDT461N
MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
FDH27N50
MOSFET N-CH 500V 27A TO247-3
