Numer produktu producenta:
FQB47P06TM-AM002
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQB47P06TM-AM002-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
1255 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12836726
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQB47P06TM-AM002 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
47A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.75W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
FQB47P06
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FQB47P06TM_AM002TR-DG
FQB47P06TM-AM002TR
FQB47P06TM_AM002TR
FQB47P06TM-AM002CT
FQB47P06TM_AM002
FQB47P06TM_AM002CT
FQB47P06TM_AM002-DG
FQB47P06TM_AM002DKR-DG
FQB47P06TMAM002
FQB47P06TM_AM002CT-DG
FQB47P06TM-AM002DKR
FQB47P06TM_AM002DKR
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF630BTSTU_FP001
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
FQA6N80
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
FDS6575
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC