Numer produktu producenta:
FQB34N20LTM
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQB34N20LTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12850137
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQB34N20LTM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
31A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
FQB34N20
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FQB34N20LTMTR
FQB34N20LTM-DG
FQB34N20LTMCT
FQB34N20LTMDKR
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCB070N65S3
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
375
NUMER CZĘŚCI
FCB070N65S3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.04
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AO3160
MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23-3
FQP3P20
MOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3
AON6314
MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN