Numer produktu producenta:
FQB1P50TM
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQB1P50TM-DG
Opis:
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Szczegółowy opis:
P-Channel 500 V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12848731
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQB1P50TM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.13W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
FQB1P50
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FQB1P50TM-DG
FQB1P50TMCT
FQB1P50TMTR
FQB1P50TMDKR
Pakiet Standard
800
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF5210STRLPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7933
NUMER CZĘŚCI
IRF5210STRLPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.26
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB065N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
AOTF18N65
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3F
FDB0105N407L
MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7
