FQB13N06LTM
Numer produktu producenta:

FQB13N06LTM

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FQB13N06LTM-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Magazyn:

12846863
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FQB13N06LTM Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
FQB1

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
800

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
STB16NF06LT4
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1500
NUMER CZĘŚCI
STB16NF06LT4-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.57
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FQN1N60CTA

MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO3420

MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L

onsemi

FDMC3612

MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP

onsemi

FQP55N10

MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3