Numer produktu producenta:
FQAF22P10
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQAF22P10-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF
Szczegółowy opis:
P-Channel 100 V 16.6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF
Magazyn:
12847241
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQAF22P10 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
70W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3PF
Pakiet / Walizka
TO-3P-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
FQAF2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FCPF11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AOB2502L
MOSFET N-CH 150V 106A TO263
NVMFS5C450NLT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN