Numer produktu producenta:
FQAF13N80
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQAF13N80-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Magazyn:
12850433
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQAF13N80 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
120W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3PF
Pakiet / Walizka
TO-3P-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
FQAF13
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FQAF13N80-OS
ONSONSFQAF13N80
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STW10NK80Z
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
39
NUMER CZĘŚCI
STW10NK80Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.27
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDMC510P-F106
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
FQD7P06TM_NB82050
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
FDG332PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
