FQA6N70
Numer produktu producenta:

FQA6N70

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FQA6N70-DG

Opis:

MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 6.4A (Tc) 152W (Tc) Through Hole TO-3P

Magazyn:

12840434
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FQA6N70 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
152W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
FQA6

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

MTD6N20ET4

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

onsemi

FDS5170N7

MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO

onsemi

NTK3134NT1G

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723

onsemi

FDMS0306S

INTEGRATED CIRCUIT