Numer produktu producenta:
FQA38N30
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQA38N30-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 300 V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P
Magazyn:
12836661
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQA38N30 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
38.4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 19.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
290W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
FQA3
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2166-FQA38N30-488
2832-FQA38N30
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQP6N90
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220-3
HUFA75321S3ST
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
FQD6N25TM
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
