Numer produktu producenta:
FQA34N20L
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQA34N20L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P
Magazyn:
12837735
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQA34N20L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
34A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
75mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
210W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
FQA3
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
FDMS3500
MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
FDV304P-CGB8
MOSFET P-CHANNEL
