Numer produktu producenta:
FQA33N10L
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQA33N10L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 36A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-3P
Magazyn:
12846826
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQA33N10L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
QFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1630 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
163W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
FQA3
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
450
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
2SK1317-E
PRODUCENT
Renesas Electronics Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5608
NUMER CZĘŚCI
2SK1317-E-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.29
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDN372S
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
NTD4959NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK
FCP13N60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
