Numer produktu producenta:
FQA24N60
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQA24N60-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 23.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Magazyn:
270 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12838022
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQA24N60 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
23.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
240mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5500 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3PN
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
FQA24
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FQA24N60-OS
ONSONSFQA24N60
FQA24N60-DG
FQA24N60FS
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FCP165N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
FDZ204P
MOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGA
FQB9P25TM
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
