Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FJN4301RTA
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FJN4301RTA-DG
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12846139
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FJN4301RTA Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
PNP - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
4.7 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
200 MHz
Moc - Max
300 mW
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Podstawowy numer produktu
FJN430
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FJN4301RTA
Karta danych HTML
FJN4301RTA-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FJN4301RTA-DG
2832-FJN4301RTATR
FJN4301RTACT
FJN4301RTATB
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
MMUN2132LT1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
33518
NUMER CZĘŚCI
MMUN2132LT1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.01
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DRC3124T0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSSMINI3
FJX4008RTF
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
FJN4304RTA
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
BCR533E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23