Numer produktu producenta:
FJN3302RTA
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FJN3302RTA-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Magazyn:
12837723
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Utph
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FJN3302RTA Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane tranzystory bipolarnie
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
NPN - Pre-Biased
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50 V
Rezystor - podstawa (R1)
10 kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
10 kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
250 MHz
Moc - Max
300 mW
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Podstawowy numer produktu
FJN330
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FJN3302RTACT
2832-FJN3302RTA
FJN3302RTATB
FJN3302RTA-DG
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BCR 196F E6327
TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3
DTA114YET1
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
DTC115TM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723