Numer produktu producenta:
FDZ493P
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDZ493P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.55x1.55)
Magazyn:
12839166
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDZ493P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
754 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.7W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
9-BGA (1.55x1.55)
Pakiet / Walizka
9-WFBGA
Podstawowy numer produktu
FDZ49
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDZ493PCT
FDZ493PTR
FDZ493PDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
HUFA76432S3S
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
FQB6N60TM
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
FDD6778A
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
