Numer produktu producenta:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDZ3N513ZT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Magazyn:
12838288
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDZ3N513ZT Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
3.2V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
+5.5V, -0.3V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
85 pF @ 15 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Body)
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 125°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
4-WLCSP (0.96x0.96)
Pakiet / Walizka
4-UFBGA, WLCSP
Podstawowy numer produktu
FDZ3N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SI8808DB-T2-E1
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
8727
NUMER CZĘŚCI
SI8808DB-T2-E1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.11
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDP023N08B-F102
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
HUFA75343P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQD4P40TF
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
