Numer produktu producenta:

FDZ298N

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDZ298N-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA

Szczegółowy opis:

N-Channel 20 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)

Magazyn:

Zapytanie ofertowe Online

12849562

Poproś o wycenę

Ilość
Minimum 1

(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

ZATWIERDŹ

FDZ298N Specyfikacje techniczne

Kategoria

FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent

onsemi

Opakowanie

-

Seria

PowerTrench®

Status produktu

Obsolete

Typ tranzystora FET

N-Channel

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss)

20 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C

6A (Ta)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)

2.5V, 4.5V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

10 nC @ 4.5 V

Vgs (maks.)

±12V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

680 pF @ 10 V

Funkcja FET

-

Rozpraszanie mocy (maks.)

1.7W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rodzaj montażu

Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy

9-BGA (1.5x1.6)

Pakiet / Walizka

9-WFBGA

Podstawowy numer produktu

FDZ29

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard

3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T

EAR99

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T

8541.29.0095

Certyfikacja DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produkty powiązane

alpha-and-omega-semiconductor

AO4411

MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOI9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO251A

alpha-and-omega-semiconductor

AOD407

MOSFET P-CH 60V 12A TO252

onsemi

HUFA75309D3S

MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA