Numer produktu producenta:
FDZ191P
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDZ191P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1x1.5)
Magazyn:
12851197
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDZ191P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.9W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-WLCSP (1x1.5)
Pakiet / Walizka
6-UFBGA, WLCSP
Podstawowy numer produktu
FDZ191
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDZ191PDKR
FDZ191PCT
FDZ191PTR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PMCM4402UPEZ
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
16380
NUMER CZĘŚCI
PMCM4402UPEZ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.08
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB80N06S3L-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
FQPF28N15
MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F
