Numer produktu producenta:
FDT86102LZ
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDT86102LZ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Magazyn:
7191 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12848072
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
4Mru
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDT86102LZ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1490 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223-4
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
FDT86102
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDT86102LZ-DG
FDT86102LZFSTR
FDT86102LZFSCT
FDT86102LZFSDKR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTD4863NAT4G
MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
FDFS6N303
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FQB5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK