Numer produktu producenta:
FDT3612-SB82273
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDT3612-SB82273-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Magazyn:
12972130
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDT3612-SB82273 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
632 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223-4
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2832-FDT3612-SB82273TR
488-FDT3612-SB82273TR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDT3612
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
20218
NUMER CZĘŚCI
FDT3612-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.21
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJS6400_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJL9413_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJP60R190E_T0_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
