Numer produktu producenta:
FDS89161
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDS89161-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
22674 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12837663
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDS89161 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.7A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.1nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
210pF @ 50V
Moc - Max
1.6W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Podstawowy numer produktu
FDS89
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDS89161TR
FDS89161CT
FDS89161DKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
FDG6308P
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
FDME1034CZT
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET