Numer produktu producenta:
FDS8842NZ
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDS8842NZ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 14.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
4300 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12846581
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDS8842NZ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
14.9A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3845 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
FDS8842
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDS8842NZTR
FDS8842NZCT
FDS8842NZDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQP10N20
MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
FDPF13N50FT
MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
CPH3360-TL-W
MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH
