Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FDS6680AS
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDS6680AS-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12839815
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDS6680AS Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®, SyncFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1240 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
FDS6680
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FDS6680AS
Karta danych HTML
FDS6680AS-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDS6680ASTR
FDS6680AS-DG
2156-FDS6680AS-488
FDS6680ASCT
FDS6680ASDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TSM180N03CS RLG
PRODUCENT
Taiwan Semiconductor Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4980
NUMER CZĘŚCI
TSM180N03CS RLG-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.12
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
FDS4470
PRODUCENT
Fairchild Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
193682
NUMER CZĘŚCI
FDS4470-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.85
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IRF7821TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
16602
NUMER CZĘŚCI
IRF7821TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.37
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQD2N80TM
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
FQPF7P20
MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
FDP8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
NVD6416ANLT4G-001-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK