Numer produktu producenta:
FDS2582
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDS2582-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
2551 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12847751
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDS2582 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
66mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1290 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
FDS25
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDS2582DKR
FDS2582CT
FDS2582TR
FDS2582-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FCD4N60TM_WS
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
NTD4906NT4G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK
NVMFS6B14NLWFT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN