Numer produktu producenta:
FDS2170N3
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDS2170N3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Magazyn:
12850569
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDS2170N3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1292 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO FLMP
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
FDS21
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDS2170N3_NLCT
FDS2170N3_NLCT-DG
FDS2170N3_NLTR
FDS2170N3DKR
FDS2170N3_NL
FDS2170N3CT
FDS2170N3CT-NDR
FDS2170N3TR
FDS2170N3TR-NDR
FDS2170N3_NLTR-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDMS2672
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1825
NUMER CZĘŚCI
FDMS2672-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.14
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AUIRF3805S-7P
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
AON6324
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
FQP6N15
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
