FDP2532
Numer produktu producenta:

FDP2532

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

FDP2532-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3

Magazyn:

12847407
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

FDP2532 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5870 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
FDP25

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
2156-FDP2532-OS
FAIFSCFDP2532
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

FDH50N50

MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3

onsemi

FDN336P

MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FQPF6P25

MOSFET P-CH 250V 4.2A TO220F

onsemi

FQU9N25TU

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK